2SD2661T100, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 2A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SD2661T100

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073098

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

2А

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Частота Перехода ft

360МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270 at 200 mA at 2 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-89-3

Другие названия товара №

2SD2661

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

680 at 200 mA at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

360 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

90 mV

Техническая документация

Datasheet 2SD2661T100 , pdf , 1197 КБ
Datasheet 2SD2661T100 , pdf , 965 КБ

2SD2661T100, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация