2SD2652T106, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 1.5 А, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 12V 1.5A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SD2652T106

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073092

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

1.5А

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Частота Перехода ft

400МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.8 mm

Длина

2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.25 mm

Другие названия товара №

2SD2652

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

680

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

400 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

80 mV

Техническая документация

Datasheet 2SD2652T106 , pdf , 1659 КБ
Datasheet 2SD2652T106 , pdf , 1663 КБ

2SD2652T106, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 1.5 А, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация