ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD2537T100V, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SD2537T100V, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.2 А, 500 мВт, SOT-89…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD2537T100V, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 25V 1.2A
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SD2537T100V
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073091
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
25В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-89
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
1.2А
DC Усиление Тока hFE
820hFE
Частота Перехода ft
200МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1.2A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Pd - Power Dissipation
2W
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.5 mm
Длина
4.5 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
820
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12 V
Непрерывный коллекторный ток
1.2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
2SD2537
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.5 mm
Другие названия товара №
2SD2537
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
1800
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Техническая документация
Datasheet 2SD2537T100V , pdf
, 1012 КБ
Datasheet 2SD2537T100V , pdf
, 1232 КБ
Datasheet , pdf
, 1219 КБ