ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD1781KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 150 МГц, 200 мВт, 800 мА, 120 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SD1781KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 150 МГц, 200 мВт, 800…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD1781KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 150 МГц, 200 мВт, 800 мА, 120 hFE
Последняя цена
55 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 32V 0.8A
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SD1781KT146Q
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073071
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
800mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32V
Pd - Power Dissipation
200mW
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
32 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
0.8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
2SD1781K
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
1.6 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
390
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
150 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.1 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1655 КБ
Datasheet , pdf
, 1662 КБ