ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD1623S-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 1.3 Вт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
2SD1623S-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 1.3 Вт, SOT-89,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD1623S-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 1.3 Вт, SOT-89, Surface Mount
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
2SD1623S-TD-E
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073064
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150
Количество Выводов
3
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-89
Рассеиваемая Мощность
1.3
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
2
DC Усиление Тока hFE
140
Частота Перехода ft
150
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.11
Transistor Type
NPN
No. of Pins
3
Operating Temperature Max
150
Power Dissipation Pd
1.3
Transistor Case Style
SOT-89
Transistor Polarity
npn
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50
DC Collector Current
2
DC Current Gain hFE
140
Transition Frequency ft
150
Maximum DC Collector Current
2A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
500mW
MSL
MSL 1 - Unlimited
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 363 КБ