2SCR586D3TL1, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5 А, 10 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR586D3TL1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073052

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

10Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

5а

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

200МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

10 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252

Другие названия товара №

2SCR586D3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

390

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet 2SCR586D3TL1 , pdf , 1715 КБ
Datasheet 2SCR586D3TL1 , pdf , 1688 КБ

2SCR586D3TL1, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5 А, 10 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация