2SCR572D3FRATL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 5 А, 10 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR572D3FRATL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073045

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

10Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

5а

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

300МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

10 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

10 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Техническая документация

Datasheet 2SCR572D3FRATL , pdf , 1459 КБ

2SCR572D3FRATL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 5 А, 10 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация