2SCR562F3TR, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 6 А, 1 Вт, HUML2020, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR562F3TR

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073042

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

HUML2020

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

6А

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

270МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

2.1 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

7 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

6 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

DFN2020-3

Другие названия товара №

2SCR562F3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

270 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet 2SCR562F3TR , pdf , 275 КБ

2SCR562F3TR, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 6 А, 1 Вт, HUML2020, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация