ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SCR552P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SCR552P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 500 мВт, SOT-89,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SCR552P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SCR552P5T100
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073035
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-89
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
280МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Base Product Number
2SCR552 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
280MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
500mW
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200 at 500 mA, 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
2SxR
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-62-3
Другие названия товара №
2SCR552P5
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
500 at 500 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
280 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1803 КБ
Datasheet 2SCR552P5T100 , pdf
, 1809 КБ