ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SCR542F3TR, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 1 Вт, HUML2020, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SCR542F3TR, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 1 Вт, HUML2020, Su…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SCR542F3TR, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 1 Вт, HUML2020, Surface Mount
Последняя цена
74 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 3A Ic 30V Vceo HUML2020L3
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SCR542F3TR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073031
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
HUML2020
Рассеиваемая Мощность
1Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
250МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Pd - рассеивание мощности
2.1 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BM14270MUV-LB
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
DFN2020-3S
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
90 mV
Техническая документация
Datasheet 2SCR542F3TR , pdf
, 1522 КБ
Datasheet 2SCR542F3TR , pdf
, 1036 КБ