2SCR523UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR523UBTL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073030

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Полярность Транзистора

NPN

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.454

Base Product Number

2SCR523 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

350MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-85

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

UMT3F

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

200 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2SCR523UB

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

UMT-3

Другие названия товара №

2SCR523UB

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

350 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.1 V

Simulation Models

http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d

Техническая документация

Datasheet 2SCR523UBTL , pdf , 2015 КБ
Datasheet , pdf , 1435 КБ
Datasheet 2SCR523UBTL , pdf , 1498 КБ
Datasheet , pdf , 2015 КБ

2SCR523UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.

Техническая документация