2SCR522UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 200 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 20V 0.2A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR522UBTL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073029

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

20В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323FL

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

200ма

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

400МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Напряжение коллектор-база (VCBO)

20 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

200 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2SCR522UB

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

UMT-3

Другие названия товара №

2SCR522UB

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

400 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2028 КБ

2SCR522UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 200 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация