2SCR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR502U3HZGT106

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073024

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

360МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

360 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet 2SCR502U3HZGT106 , pdf , 1419 КБ

2SCR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация