ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SCR502EBHZGTL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 150 мВт, SOT-416FL, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SCR502EBHZGTL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 150 мВт, SOT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SCR502EBHZGTL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 150 мВт, SOT-416FL, Surface Mount
Последняя цена
41 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SCR502EBHZGTL
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073023
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-416FL
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
360МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Base Product Number
2SCR502 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
360MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-89, SOT-490
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
EMT3F (SOT-416FL)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.5 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-416FL-3
Другие названия товара №
2SCR502EBHZG
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
360 MHz
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
100 mV
Техническая документация
Datasheet 2SCR502EBHZGTL , pdf
, 1474 КБ
Datasheet 2SCR502EBHZGTL , pdf
, 1379 КБ