2SCR375P5T100Q, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 1.5 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SCR375P5T100Q

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073021

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

120В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

1.5А

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

200МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

2SxR

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SC-62-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

390 at 200 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet 2SCR375P5T100Q , pdf , 1422 КБ

2SCR375P5T100Q, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 1.5 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация