ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SC5200-O(Q), Транзистор NPN 230В 15 А [2-21F1A] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SC5200-O(Q), Транзистор NPN 230В 15 А [2-21F1A]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SC5200-O(Q), Транзистор NPN 230В 15 А [2-21F1A]
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Корпус TO3PL
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SC5200-O(Q)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749506
Технические параметры
Вес, г
10
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
230
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
230
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
150
Корпус
2-21f1a
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
30
Техническая документация
2SC5200_datasheet_en_20160107-2 , pdf
, 186 КБ