2SC4102U3HZGT106R, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 50 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SC4102U3HZGT106R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072982

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

120В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

50мА

DC Усиление Тока hFE

180hFE

Частота Перехода ft

140МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

180

Конфигурация

Single

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

50 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

390

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

140 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet 2SC4102U3HZGT106R , pdf , 1542 КБ
Datasheet , pdf , 1546 КБ

2SC4102U3HZGT106R, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 50 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация