ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SC4081U3T106R, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SC4081U3T106R, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 мА, 200 мВт, SOT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SC4081U3T106R, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A 0.2W SOT-323; SC-70; UMT3
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SC4081U3T106R
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072975
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
150мА
DC Усиление Тока hFE
180hFE
Частота Перехода ft
180МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.032
Pd - рассеивание мощности:
200 mW
Вид монтажа:
SMD/SMT
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
120
Конфигурация:
Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
560
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO):
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
7 V
Непрерывный коллекторный ток:
150 mA
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):
180 MHz
Производитель:
ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
3000
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:
SOT-323-3
Техническая документация
Datasheet 2SC4081U3T106R , pdf
, 1901 КБ
Datasheet , pdf
, 2725 КБ