ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, P…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
2SB778
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749349
Технические параметры
Вес, г
7.5
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
55…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
80
Корпус
TO-3PF
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
10
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots , pdf
, 703 КБ