2SB1708TL, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А, 500 мВт, SOT-346, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 84 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 30V 3A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SB1708TL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072938

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-346

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

3А

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2SB1708

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TSMT-3

Ширина

1.6 mm

Другие названия товара №

2SB1708

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

270 at 200 mA at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

180 mV

Техническая документация

Datasheet 2SB1708TL , pdf , 1596 КБ

2SB1708TL, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А, 500 мВт, SOT-346, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 84 руб.

Техническая документация