2SB1201S-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

2SB1201S-TL-E

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072924

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

15Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

2А

DC Усиление Тока hFE

140hFE

Частота Перехода ft

150МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.426

Base Product Number

2SB1201 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power - Max

800mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

2-TP-FA

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

140@100mA@2V

Pd - рассеивание мощности

15 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

700

Серия

2SB1201

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@50mA@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.7@50mA@1A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

800

Maximum Transition Frequency (MHz)

150(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

2.3

Package Length

6.5

Package Width

5.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Техническая документация

EN2112-D-1803660 , pdf , 391 КБ
Datasheet , pdf , 383 КБ

2SB1201S-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация