2SB1188T100Q, Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• 2SD1766 Complement

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SB1188T100Q

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072919

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

32В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

2А

DC Усиление Тока hFE

82hFE

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

1.196

Base Product Number

2SB1188 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

MPT3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

32V

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.5 mm

Длина

4.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Ширина

2.5 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

390

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 175 КБ
Datasheet 2SB1188T100Q , pdf , 172 КБ

2SB1188T100Q, Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация