ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SB1151, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-60В, Vcbo=-60В, Pd=20Вт, hFE= 100...400 [TO-126] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
2SB1151, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-60В, Vcbo=-60В, Pd=…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SB1151, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-60В, Vcbo=-60В, Pd=20Вт, hFE= 100...400 [TO-126]
Последняя цена
51 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
2SB1151
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749326
Технические параметры
Вес, г
0.9
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100…400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
20
Корпус
to-126
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots , pdf
, 703 КБ