ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SB1132T100Q, Транзистор PNP 32В 1А [MPT-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SB1132T100Q, Транзистор PNP 32В 1А [MPT-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SB1132T100Q, Транзистор PNP 32В 1А [MPT-3]
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SB1132T100Q
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749324
Технические параметры
Вес, г
0.1
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
82
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
2
Корпус
SOT-89
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
150
Техническая документация
2SB1132 datasheet , pdf
, 129 КБ