ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SAR523MT2L, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 150 мВт, SOT-723, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SAR523MT2L, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 150 мВт, SOT-72…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SAR523MT2L, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 150 мВт, SOT-723, Surface Mount
Последняя цена
36 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SAR523MT2L
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072890
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
100мА
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.008
Package / Case
SOT-723
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
8000
Серия
2SAR523M
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
VMT-3
Другие названия товара №
2SAR523M
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
560
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
150 mV
Packaging
Tape & Reel (TR)
Manufacturer
ROHM Semicon
Техническая документация
Datasheet 2SAR523MT2L , pdf
, 1513 КБ
Datasheet 2SAR523MT2L , pdf
, 2054 КБ
Datasheet , pdf
, 1450 КБ