ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SAR522EBTL, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 200 мА, 150 мВт, SOT-416FL, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SAR522EBTL, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 200 мА, 150 мВт, SOT-41…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SAR522EBTL, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 200 мА, 150 мВт, SOT-416FL, Surface Mount
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SAR522EBTL
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072889
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
20В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-416FL
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
200ма
Частота Перехода ft
350МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
200 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
2SAR522EB
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-416FL-3
Другие названия товара №
2SAR522EB
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
560
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
350 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
120 mV
Техническая документация
Datasheet 2SAR522EBTL , pdf
, 1562 КБ
