2SAR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 48 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

2SAR502U3HZGT106

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072883

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

PNP

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

520МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

520 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

150 mV

Техническая документация

Datasheet 2SAR502U3HZGT106 , pdf , 1462 КБ
Datasheet 2SAR502U3HZGT106 , pdf , 1480 КБ

2SAR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 48 руб.

Техническая документация