ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA2121-O(Q), Биполярный транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SA2121-O(Q), Биполярный транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA2121-O(Q), Биполярный транзистор
Последняя цена
480 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Силовые транзисторы PNP, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SA2121-O(Q)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072875
Технические параметры
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
25 MHz
Length
20.5мм
Brand
Toshiba
Package Type
TO-3PL
Maximum Power Dissipation
220 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.2мм
Height
26мм
Pin Count
3
Dimensions
26 x 20.5 x 5.2mm
Minimum DC Current Gain
80
Максимальное напряжение коллектор-база
200 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
200 V
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В