ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA1162-Y(F), Транзистор PNP 50V 0.15A [TO-236MOD/2-3F1A] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SA1162-Y(F), Транзистор PNP 50V 0.15A [TO-236MOD/2-3F1A]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA1162-Y(F), Транзистор PNP 50V 0.15A [TO-236MOD/2-3F1A]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные транзисторы PNP, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SA1162-Y(F)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749247
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,15
Корпус
TO-236MOD
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
80
Техническая документация
2SA1162 , pdf
, 217 КБ