ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA1162-GR(TE85L,F, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236-MOD] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SA1162-GR(TE85L,F, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236-MOD]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA1162-GR(TE85L,F, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236-MOD]
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SA1162-GR(TE85L,F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749246
Технические параметры
Вес, г
0.02
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
70
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.15
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
80
Техническая документация
2SA1162 datasheet , pdf
, 156 КБ