ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2PD602ARL,215, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 500 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
2PD602ARL,215, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 500 мА, 250 мВт, TO-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2PD602ARL,215, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 500 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
2PD602ARL,215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072761
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
120hFE
Частота Перехода ft
160МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4 mm
Другие названия товара №
934062313215
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
40 at 500 mA, 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
160 MHz
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 597 КБ