ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7002NXAKR, Силовой МОП-транзистор, Trench, N Канал, 60 В, 190 мА, 3 Ом, TO-236AB, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
2N7002NXAKR, Силовой МОП-транзистор, Trench, N Канал, 60 В, 190 мА, 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
МОП-транзисторы 600В или более
8
2N7002NXAKR, Силовой МОП-транзистор, Trench, N Канал, 60 В, 190 мА, 3 Ом, TO-236AB, Surface Mount
Последняя цена
2.1 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 60V N-CHANNEL SGL TRENCH
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
2N7002NXAKR
Категория
МОП-транзисторы 600В или более
Номенклатурный номер
1072736
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Рассеиваемая Мощность
265мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
190мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
3Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Id - непрерывный ток утечки
300 mA
Pd - рассеивание мощности
325 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки при включении
6 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Qg - заряд затвора
0.33 nC
Время нарастания
7 ns
Время спада
5 ns
Другие названия товара №
934661281215
Base Product Number
2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
430pC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВµA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 275 КБ
Datasheet 2N7002NXAKR , pdf
, 273 КБ