2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2N7002ET1G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637428

Технические параметры

Вес, г

0.05

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Transistor Material

Length

2.9mm

Brand

ON Semiconductor

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0.81 nC @ 5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.3mm

Height

0.94mm

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet 2N7002E , pdf , 132 КБ
Datasheet , pdf , 89 КБ

2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация