ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6668, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 80 В, 10 А, 65 Вт, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Multicomp
2N6668, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 80 В, 10 А, 65 Вт, TO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6668, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 80 В, 10 А, 65 Вт, TO-220, Through Hole
Последняя цена
570 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
5A
• 3000 @ IC = 4A Коэффициент усиления постоянного тока hFE
• От -65 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода
• Продукция Multicomp Pro имеет рейтинг 4,6 из 5 звезд
• 12-месячная ограниченная гарантия *посмотреть условия
Информация
Производитель
Multicomp
Артикул
2N6668
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072722
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
80В
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
65Вт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
10а
DC Усиление Тока hFE
20000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2
Техническая документация
Datasheet 2N6668 , pdf
, 669 КБ