ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220]
Последняя цена
60 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6667G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072721
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
65
Корпус
to-220
Техническая документация
Datasheet 2N6667G , pdf
, 225 КБ
Datasheet 2N6667G , pdf
, 111 КБ
Datasheet 2N6667G , pdf
, 256 КБ