ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6517BU, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 500 мА, 1.5 Вт, TO-92, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
2N6517BU, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 500 мА, 1.5 Вт, TO-92, Th…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6517BU, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 500 мА, 1.5 Вт, TO-92, Through Hole
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
2N6517BU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072716
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
350В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-92
Рассеиваемая Мощность
1.5Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
15hFE
Частота Перехода ft
200МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
1.1
Техническая документация
Datasheet 2N6517BU , pdf
, 117 КБ