ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6107G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6107G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6107G, Транзистор
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6107G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1804982
Технические параметры
Вес, г
1.993
Mounting Type
Through Hole
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
10 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
10.28mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
70 V
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.82mm
Maximum DC Collector Current
10 A
Height
15.75mm
Pin Count
3
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
2.3
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 249 КБ
