ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5681, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 1 Вт, TO-39, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Multicomp
2N5681, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 1 Вт, TO-39, Through H…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5681, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 1 Вт, TO-39, Through Hole
Последняя цена
500 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
100 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vebo = 4 В)
• Продукты Multicomp Pro имеют рейтинг 4,6 из 5 звезд
• 12-месячная ограниченная гарантия * см. Условия
Информация
Производитель
Multicomp
Артикул
2N5681
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072662
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-39
Рассеиваемая Мощность
1Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
1а
DC Усиление Тока hFE
150hFE
Частота Перехода ft
30МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.97
Техническая документация
Datasheet 2N5681 , pdf
, 237 КБ