ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5195G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N5195G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5195G, Транзистор
Последняя цена
42 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы PNP общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N5195G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072649
Технические параметры
Вес, г
5.897
Mounting Type
Through Hole
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
7.74mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-225AA
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
2.66mm
Maximum DC Collector Current
4 A
Height
11.04mm
Pin Count
3
Dimensions
7.74 x 2.66 x 11.04mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
7
Техническая документация
Datasheet 2N5195G , pdf
, 196 КБ
Datasheet 2N5195G , pdf
, 196 КБ
Datasheet , pdf
, 137 КБ
