ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N3819, Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc=15)=2...20мА [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Central Semiconductor Corp
2N3819, Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc=15)=…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
2N3819, Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc=15)=2...20мА [TO-92]
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Central Semiconductor Corp
Артикул
2N3819
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1749032
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
n-канал
Корпус
to-92
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
25
Ток утечки (Idss), мА
2…20
при Vds, В (Vgs=0)
15
Напряжение отсечки (Vgs off), В
8(max)
при Id, нА
2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.36
Рабочая температура (Tj), °C
-65…+150
Техническая документация
2n3819 , pdf
, 1017 КБ