2N2222A, Single Bipolar Transistor (BJT), High Speed Switching, NPN, 40 V, 1.2 W, 800 mA, TO-18
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) 40В• Непрерывный ток коллектора (Ic) 800мА• Рассеивание мощности 500мВт• Рабочая температуры перехода от -65°C до 200°C• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1В при Ic=500мА• Коэффициент усиления DC тока более 35 при Ic = 0.1А