2DD2661-13, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 1 А, 900 мВт, SOT-89, Surface Mount, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 85 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Класс воспламеняемости UL94V-0
• Конструкция эпитаксиальной планарной матрицы
• 2DB1697 Дополнительный тип PNP
• Ультра-маленький корпус для поверхностного монтажа
• Безгалогеновое, зеленое устройство
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

2DD2661-13

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1072363

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

900мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

1а

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Частота Перехода ft

170МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.22

Base Product Number

2DD2661 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

170MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

900mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

180mV @ 50mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

12V

Техническая документация

Datasheet 2DD2661-13 , pdf , 88 КБ

2DD2661-13, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 1 А, 900 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 85 руб.

Техническая документация