ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2DD2098R-13, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 5А, 1Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
2DD2098R-13, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 5А, 1Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2DD2098R-13, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 5А, 1Вт, SOT89
Последняя цена
38 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT 1W 25V
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
2DD2098R-13
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2120215
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.1
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.5 mm
Длина
4.5 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
180 at 500 mA, 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
2DD2
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.5 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
180 at 500 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
220 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
Техническая документация
Datasheet 2DD2098R-13 , pdf
, 146 КБ