2DD1766R-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 2А, 1Вт, SOT89, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

2DD1766R-13

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2148747

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.08

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.5 mm

Длина

4.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

180 at 500 mA, 3 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

2DD17

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.48 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

220 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

800 mV

Производитель

Diodes Incorporated

Техническая документация

Datasheet , pdf , 192 КБ

2DD1766R-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 2А, 1Вт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация