ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2DA1971-7, Транзистор PNP, биполярный, 400В, 500мА, 1,5Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
2DA1971-7, Транзистор PNP, биполярный, 400В, 500мА, 1,5Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2DA1971-7, Транзистор PNP, биполярный, 400В, 500мА, 1,5Вт, SOT89
Последняя цена
38 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
2DA1971-7
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2102228
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.12
Base Product Number
2DA1971 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
75MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1.5W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Diodes Incorporated
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum DC Collector Current
- 500 mA
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
140@20mA@5V|140@100mA@5V
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Максимальное напряжение коллектор-база
400 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
140
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
500 mA
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
400 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
2DA19
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
75 MHz
Технология
Si
Series
2DA19
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-400 mV
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
400 mV
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
400
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9@10mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4@40mA@200mA|0.25@10mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.5
Maximum Power Dissipation (mW)
1500
Maximum Transition Frequency (MHz)
75(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.6(Max)
Package Length
4.6(Max)
Package Width
2.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Flat
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 V
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
75 МГц
Число контактов
3
Manufacturer
Diodes Incorporated
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,9 мВ
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
140
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Collector- Base Voltage VCBO
- 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 400 V
Continuous Collector Current
- 500 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min
140
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.001834 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 400 mV
Gain Bandwidth Product FT
75 MHz
Техническая документация
Datasheet 2DA1971-7 , pdf
, 274 КБ
Datasheet 2DA1971-7 , pdf
, 279 КБ
Datasheet 2DA1971-7 , pdf
, 269 КБ