ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
WNSC101200Q, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 24 нКл, TO-220AC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
WeEn Semiconductors
WNSC101200Q, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Диоды
Быстродействующие
582
Варикапы
47
Выпрямительные
2288
Высоковольтные
16
Диодные мосты
1928
Диоды лавинные
24
Защитные
4618
Импульсные
143
Прочие диоды
1435
СВЧ, туннельные
51
Силовые
110
Стабилитроны
6533
Шоттки
3700
Шоттки
3700
WNSC101200Q, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 24 нКл, TO-220AC
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки\Диоды - Карбидокремниевые Шоттки
Карбид кремния диод Шоттки 1200V 10A сквозное отверстие TO-220AC
Информация
Производитель
WeEn Semiconductors
Артикул
WNSC101200Q
Категория
Шоттки
Номенклатурный номер
1418437
Технические параметры
Количество Выводов
2 Вывода
Стиль Корпуса Диода
to-220ac
Максимальное Значение Напряжения Vrrm
1.2кВ
Конфигурация Диода
Одиночный
Вес, г
0.5
Capacitance @ Vr, F
510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io)
10A
Current - Reverse Leakage @ Vr
110ВµA @ 1200V
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
175В°C (Max)
Package / Case
TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
RoHS Status
RoHS Compliant
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package
TO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 10A
Brand
WeEn Semiconductors
Configuration
Single
Packaging
Tube
If - Forward Current
10 A
Vf - Forward Voltage
1.4 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Постоянный Прямой Ток If
10а
Полный Емкостной Заряд Qc
24нКл
Максимальная Температура Перехода Tj
175 C
Factory Pack Quantity
1000
Ifsm - Forward Surge Current
720 A
Ir - Reverse Current
200 uA
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Mounting Style
Through Hole
Product
Schottky Silicon Carbide Diodes
Product Category
Schottky Diodes & Rectifiers
Product Type
Schottky Diodes & Rectifiers
Subcategory
Diodes & Rectifiers
Technology
SiC
Vr - Reverse Voltage
1.2 kV
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage
1.2 kV
Part # Aliases
934072098127
Техническая документация
Диоды импортные , pdf
, 305 КБ
Datasheet , pdf
, 375 КБ
Datasheet , pdf
, 309 КБ