ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
VS-C12ET07T-M3, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 12 А, 33 нКл, TO-220AC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
VS-C12ET07T-M3, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 12 А,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Диоды
Быстродействующие
582
Варикапы
47
Выпрямительные
2288
Высоковольтные
16
Диодные мосты
1928
Диоды лавинные
24
Защитные
4618
Импульсные
143
Прочие диоды
1435
СВЧ, туннельные
51
Силовые
110
Стабилитроны
6533
Шоттки
3700
Шоттки
3700
VS-C12ET07T-M3, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 12 А, 33 нКл, TO-220AC
Последняя цена
590 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки\Диоды - Карбидокремниевые Шоттки
Регулируемые резистивные диоды Si CARBIDE DIODE
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
VS-C12ET07T-M3
Категория
Шоттки
Номенклатурный номер
1414180
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Количество Выводов
2 Вывода
Стиль Корпуса Диода
to-220ac
Максимальное Значение Напряжения Vrrm
650В
Конфигурация Диода
Одиночный
Вес, г
1
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальная емкость диода
53 pF
If - прямой ток
12 A
Pd - рассеивание мощности
68 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Регулируемые резистивные диоды
Подкатегория
Diodes Rectifiers
Размер фабричной упаковки
50
Тип продукта
PIN Diodes
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220AC-2
Base Product Number
C12ET07 ->
Capacitance @ Vr, F
515pF @ 1V, 1MHz
Diode Type
Schottky - Single
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Package
Tube
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Ir - обратный ток
65 uA
Vf - прямое напряжение
1.7 V
Vr - обратное напряжение
650 V
Конфигурация
Single
Тип
PIN Schottky Diode
Технология
SiC
Current - Max
12A
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
68W
Voltage - Peak Reverse (Max)
650V
Постоянный Прямой Ток If
12А
Полный Емкостной Заряд Qc
33нКл
Максимальная Температура Перехода Tj
175 C
Техническая документация
Диоды импортные , pdf
, 305 КБ
Datasheet VS-C12ET07T-M3 , pdf
, 123 КБ