VBP104FAS, Точечный ИК-фотодиод, 780-1050нм, Монтаж SMD, 65°, 65мВт - характеристики, поставщики

VBP104FAS, Точечный ИК-фотодиод, 780-1050нм, Монтаж SMD, 65°, 65мВт

Последняя цена 200 руб.

VBP104FAS, Точечный ИК-фотодиод, 780-1050нм, Монтаж SMD, 65°, 65мВт

Сравнить

Описание

Фотодиоды с PIN-кодом серии VBP104

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

VBP104FAS

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2182064

Технические параметры

Вес, г

0.96

Количество Контактов

2

Brand

Vishay

Категория продукта:

фотодиоды

Подкатегория:

optical detectors and sensors

Продукт:

pin photodiodes

Производитель:

vishay

Размер фабричной упаковки:

1000

Тип продукта:

photodiodes

Торговая марка:

vishay semiconductors

Упаковка:

cut tape, mousereel, reel

Mounting Type

Surface Mount

Type

Chip

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.40.60.50

Mounting

Surface Mount

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.9мм

Length

4.4mm

Вид монтажа:

smd/smt

Максимальная рабочая температура:

+100 c

Минимальная рабочая температура:

-40 c

Тип:

silicon pin photodiode

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

100

Packaging

Tape and Reel

Package Type

GW

Width

3.9mm

Pin Count

2

Тип корпуса

GW

Height

1.2mm

Standard Package Name

SMD

Supplier Package

SMD

Package Height

1.2

Package Length

4.4

Package Width

3.9

PCB changed

2

Pd - рассеивание мощности:

215 mw

Polarity

Forward

Maximum Power Dissipation (mW)

215

Maximum Forward Voltage (V)

1.3

Peak Wavelength (nm)

950

Number of Pins

2

If - прямой ток:

50 ma

Vf - прямое напряжение:

1 v

Vr - обратное напряжение:

60 v

Maximum Wavelength Detected

1050nm

Minimum Wavelength Detected

780nm

Wavelength of Peak Sensitivity

950nm

Spectrums Detected

Infrared

Maximum Reverse Voltage (V)

60

Maximum Rise Time (ns)

100(Typ)

Maximum Fall Time (ns)

100(Typ)

Время нарастания:

100 ns

Время спада:

100 ns

Чувствительный к влажности:

yes

Максимальная определяемая длина волны

1050нм

Минимальная определяемая длина волны

780нм

Угол половинной чувствительности

±65

Maximum Light Current (uA)

35(Typ)

Maximum Dark Current (nA)

30

Пиковая длина волны:

950 nm

Угол половинной интенсивности:

65 deg

Diode Material

Si

Angle of Half Sensitivity

±65 °

Photodiode Type

PIN

Photodiode Material

Si

Темновой ток:

2 na

Фототок:

35 ua

Эквивалентная мощность шума (NEP):

4e-14 w/sqrt hz

Материал диода

Кремний

Техническая документация

Datasheet VBP104FAS , pdf , 173 КБ
Datasheet VBP104FAS , pdf , 187 КБ
Datasheet , pdf , 155 КБ
Datasheet , pdf , 422 КБ