TK16E60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 15,8А, 130Вт, TO220, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK16E60W,S1VX(S

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072493

Технические параметры

Вес, г

Серия

Brand

Toshiba

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.16мм

Высота

15.1мм

Number of Elements per Chip

Package Type

TO-220

Width

4.45мм

Pin Count

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Power Dissipation

130 Вт

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Typical Gate Charge @ Vgs

38 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Forward Diode Voltage

1.7V

TK16E60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 15,8А, 130Вт, TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.