ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
16GB Team Group DDR4 2666 SO DIMM Elite TED416G2666C19-S01 Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL, (642706) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
TEAM GROUP
16GB Team Group DDR4 2666 SO DIMM Elite TED416G2666C19-S01 Non-ECC, CL…
Электроника и техника
Автомобильная техника и электроника
Аксессуары для компьютеров и ноутбуков
Аудио-видео техника
Бытовая техника
Запчасти для Apple
Запчасти для бытовой техники
Запчасти для ноутбуков
Запчасти для планшетов
Запчасти для смартфонов
Компьютеры и комплектующие
Носители информации
Ноутбуки и планшеты
Оргтехника и расходные материалы
Портативная электроника
Программное обеспечение
Серверы и СХД
Сетевое оборудование
Смартфоны и гаджеты
Спорт, активный отдых, хобби
Телекоммуникационное оборудование
Цифровое фото и видео
Компьютеры и комплектующие
Блоки питания
352
Видеокарты
54
Жесткие Диски
407
Звуковые Карты
3
Компьютеры
87
Контроллеры
78
Корпуса
334
Материнские Платы
281
Накопители SSD
316
Память оперативная
333
Платформы NUC
176
Приводы
16
Процессоры
183
Устройства охлаждения
344
Память оперативная
333
16GB Team Group DDR4 2666 SO DIMM Elite TED416G2666C19-S01 Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL, (642706)
Последняя цена
7240 руб.
Сравнить
Описание
Модуль памяти
Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания, В: 1.2 Нормальная операционная температура, °C: 85 Расширенная операционная температура, °C: 95 Габариты: Ширина, мм: 69.6 Высота, мм: 30 Вид поставки: RTL
Информация
Производитель
TEAM GROUP
Артикул
TED416G2666C19-S01
Категория
Память оперативная
Номенклатурный номер
1837198
Технические параметры
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество контактов
260
Activate to Precharge Delay (tRAS)
43
CAS Latency (CL)
18
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Низкопрофильная
Нет
Вид поставки
RTL
Высота, мм
30
Количество модулей в комплекте, шт
1
Количество чипов на модуле, шт
16
Напряжение питания, В
1.2
Нормальная операционная температура, °C
85
Объем одного модуля, ГБ
16
Поддержка ECC
Нет
Пропускная способность, Мб/с
21300
Расширенная операционная температура, °C
95
Стандарт памяти
DDR4
Суммарный объем, ГБ
16
Ширина, мм
69.6
Эффективная частота, МГц
2666